Hynix fabricará memoria DRAM con la tecnología Z-RAM

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El acuerdo alcanzado con Innovative Silicon supondrá la estrecha colaboración entre las dos compañías.

Z-RAM fue desarrollada como la tecnología de memoria embebida de menor coste del mundo, dirigida a microprocesadores, chipsets de teléfonos móviles y otras aplicaciones de consumo. Las memorias DRAM basadas en ella utilizarán un único transistor bitcell, lo que supondrá un cambio radical en la fabricación de estos dispositivos. Permitirá hacer memorias de una densidad mayor de lo que es posible hasta ahora y, además, a un coste muy bajo.

El acuerdo alcanzado entre el fabricante coreano Hynix Semiconductor e Innovative Silicon supone 10 millones de dólares (7,4 millones de euros) para esta última, además de royalties de producción. Además, las dos compañías invertirán amplios recursos tecnológicos para desarrollar conjuntamente las nuevas memorias DRAM.

Daily Tech cita a Jeff Lewis, vicepresidente de marketing de Innovative Silicon, que cree que ?Z-RAM tendrá un impacto profundo en la manera en que las memorias DRAM son diseñadas y fabricadas?. Para Sung-Joo Hong, vicepresidente de la división de I+D de hynix, ?Z-RAM promete proporcionar una elegante aproximación a la fabricación de DRAMs densas en procesos de nanotecnología?.

Hasta ahora, AMD tenía la mayor licencia de uso de la tecnología de Innovative Silicon, pero será la primera vez que se aplique a la fabricación de memorias DRAM. Se trata del mayor cambio en estos dispositivos desde su creación a principios de los años setenta.

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