Intel lanza la primera memoria flash de 1Gb

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La compañía anuncia la presentación en volumen de memoria flash de 65nm NOR para equipos móviles multi-nivel.

Intel ha anunciado el lanzamiento en volumen de memorias flash de 65nm NOR para equipos MLC (Multi Level Cell), incluyendo el primer monolítico fabricado en 65nm y con 1Gigabit para teléfonos móviles. Estos nuevos productos están basados en la arquitectura StrataFlash Cellular Memory (M18) de Intel y son compatibles con los chips flash de Intel fabricados en 90nm, asegurando así una migración sencilla para los OEMs de teléfonos móviles, afirma el fabricante.

“La densidad de nuestro producto de 1Gb proveerá de casi el doble de almacenamiento para documentos multimedia y permitirá fabricar teléfonos móviles muchos más delgados, dos de los factores que los consumidores tienen más en cuenta”, señala Darin Billerbeck, vicepresidente y director general de Intel Flash Products Group. Intel además tiene un roadmap de productos de 65nm para ofrecer capacidades de 512Mb, 256Mb y 128Mb dentro la familia de productos M18 durante 2007.

Por otro lado, hay que destacar que el nuevo 65nm NOR MLC de Intel ofrece velocidades de lectura más rápidas, hasta los 133 MHz, mejorando la rapidez de escritura para llegar hasta el 1,0MB/seg, obteniendo unos tiempos de respuesta más rápidos y mejor capacidad de almacenamiento para cámaras de 4 mega-píxels y vídeo MPEG-4, añade la compañía TI. La velocidad de escritura en la versión de 65nm es dos veces más rápida que en el anterior producto de Intel. La duración de la batería también se amplía y disminuye el consumo de energía, 1,8 voltios operando y un modo de apagado más profundo.

“La arquitectura de memoria celular Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) ha permitido a Sony Ericsson realizar una sencilla migración de los productos de 90 a los de 65 nm, lo que favorece que la nueva generación de móviles esté antes en el mercado”, afirma Peter Carlsson, vicepresidente y jefe de Recursos de Sony Ericsson Mobile Communication.

Igualmente, Clemons Jargon, vicepresidente y jefe de la unidad de negocio de fabricación de teléfonos de Infineon Technologies, asegura que “la familia 1Gb de los dispositivos M18 permitirá a Infineon utilizar memoria flash NOR para microteléfonos móviles de alta gama, mientras que también podemos contar con el beneficio que nos proporciona mantener la misma interfaz que se usa en la version de 90nm”.

Esta nueva familia de productos está basada en la colaboración de Intel y STMMicroelectronics, que han desarrollado una nueva arquitectura de memoria celular. La iniciativa conjunta asegura a los fabricantes de teléfonos móviles una arquitectura común con configuraciones e interfaz de memoria standard, así como una fuente de múltiples recursos y chips de procesamiento rápido, alta densidad y bajo consumo

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