La ReRAM británica podría sustituir a la memoria Flash

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Hace casi un par de años os comentamos como la memoria ReRAM que se estaba desarrollando en Japón era un gran paso que sustituiría a la memoria Flash cuando empezase a producirse el año que viene. Pues bien, ahora resulta que en el Reino Unido han encontrado una manera más simple de crearla y que permite que dure bastante más, utilizando óxidos de silicio que funcionan en condiciones ambientales.

De hecho el prototipo creado por la University College of London sería el primero en conseguir ReRAM a partir de dicho material. Esta RAM resistiva se diferencia de la normal en que puede “recordar” su estado incluso sin aplicar energía, por lo que podría usarse como memoria interna al igual que la memoria Flash.

Pero a diferencia de ésta, la velocidad de la ReRAM es muy superior, unas 100 veces más que la Flash y sólo necesita una milésima de energía para funcionar. Vale, la memoria ReRAM de Sharp promete velocidades mucho mayores, pero es más difícil y costosa de fabricar.

La ventaja está en que no necesita funcionar al vacío y que sus materiales y modo de fabricación es más barato y permite que duren más. Además su sistema permite la creación de chips de memoria transparentes, que podrían usarse en pantallas táctiles y móviles.

Sea como sea, la respuesta a si la ReRAM, bien británica o japonesa, se hace con el control y destrona a la reinante desde hace ya bastantes años Flash, la tendremos muy probablemente el año que viene cuando los fabricantes puedan empezar a disponer de ella. [Gizmag]

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