Memoria Flash 10.000 veces más rápida en 3 años… ¿cómo?

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Numerosos dispositivos como móviles, mp3s, tablets y netbooks utilizan memoria flash hoy en día, pero no es que sea realmente rápida. Actualmente utilizan puertas NAND que tienen consigo el problema de generar gran cantidad de errores, y son justamente los mecanismos de control de dichos errores los principales causantes de su lentitud. Pero una nueva tecnología puede hacer que aumenten su velocidad hasta 10.000 veces, sí, has leído bien, un uno y cuatro ceros.

La nueva tecnología, denominada ReRAM (Resistive Random Access Memory) ha sido desarrollada conjuntamente por Elpida Memory Inc. y Sharp Corp. y se planea empezar a ser producida en masa en el 2013.

Aunque muchas veces estas fechas no hay que tomárselas muy en serio, el hecho de que Elpida, el tercer productor mundial de DRAM, esté metida en el proyecto la verdad es que genera confianza en que podrán producirlo sin problemas.

Además de la ventaja evidente del aumento de velocidad, que sería tal que permitiría manejar los archivos de películas en alta definición en meros segundos, existe también que su consumo energético es virtualmente cero cuando está en modo standby.

Además parece que el proyecto está resultando una propuesta bastante interesante ya que el Instituto Nacional de Tecnología y Ciencia Industrial Avanzada de Japón, la Universidad de Tokyo y otros facbricantes de chips se están uniendo al proyecto. Esperemos que salga adelante y consigan aunque sea velocidades x100 o x1.000.— Dani Burón [Reuters]

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