Califican de 'turbio' el futuro de la 4G

Movilidad

Las mejoras en las aplicaciones inalámbricas se producen como consecuencia de “mejoras en el silicio y en la economía del mismo”, y esto no parece haber ocurrido con la 4G.

Los diseños básicos y del silicio para conseguir los objetivos de costes y potencia para los datos de la 4G o los dispositivos basados en terminales móviles todavía no están listos, según un informe de Future Horizons, una empresa con gran conocimiento de la industria de los semiconductores.

Malcolm Penn, CEO de Future Horizons, ha explicado a sus clientes que las mejoras en las aplicaciones inalámbricas se producen como consecuencia de “mejoras en el silicio y en la economía del mismo”, algo que no ha terminado de conseguirse para el despegue efectivo de la 4G.

“Las nuevas radios necesitan incrementar su potencial para trabajar con la señal FM y para comprimir y descomprimir la información digital. Los cambios de espectro y el equipamiento electrónico necesario para el servicio de nuevas necesidades inalámbricas representa una oportunidad para los fabricantes de semiconductores”, afirma Malcolm Penn.

Según Penn una de las razones principales del retraso en la introducción de la 3G fue que los diseños originales absorbían demasiada potencia y que los avances en el diseño y en los procesos hicieron que los terminales 3G fueran más prácticos porque se alargó el tiempo entre cargas del terminal.

El directivo de Future Horizons también ha dicho que la definición de 4G y el sistema de modulación “todavía es confuso” aunque probablemente se basará en multiplexación por división de frecuencias ortogonales. No obstante, los nuevos dispositivos de datos o teléfonos necesitarán desarrollos tanto en el diseño básico como en el de silicio.

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