Intel va a invertir 1.000 millones de dólares en procesos de 45 nm

Intel va a invertir 1.000 millones de dólares en sus instalaciones de Río Rancho, Nuevo México, para equipar la Fab 11X y, con ello, permitir el empleo de la próxima tecnología de fabricación en 45 nanómetros (nm).

El proceso de fabricación de Intel de 45 nm, con material dieléctrico high K y puerta metálica, es uno de los mayores avances en el diseño de transistores que se han producido en los últimos 40 años, y consiste en una combinación de nuevos materiales para reducir en gran medida las fugas eléctricas y mejorar el rendimiento de los transistores, asegura la empresa TI.

Además, cuando comience el proceso de fabricación de componentes de 45 nm a finales de este año, Intel va a utilizar un nuevo material con una mayor capacidad dieléctrica high-k, así como una combinación última de materiales metálicos para el electrodo de la puerta del transistor.

Las primeras versiones de la familia de procesadores de Intel elaborados con tecnología de 45 nm de la próxima generación unos productos con nombre en código Penryn ya funcionan con múltiples sistemas operativos y aplicaciones y, de hecho, la compañía está en camino para comenzar la producción de procesadores con la misma tecnología a partir del segundo semestre de este año.

“Nuestro nuevo proceso de fabricación de componentes a 45 nanómetros representa una de las innovaciones más importantes en fabricación que se ha producido en décadas y pensamos que su incorporación en nuestra fábrica de Nuevo México nos va a permitir ofrecer a nuestros clientes los mejores productos posibles,” ha manifestado Paul Otellini, presidente y consejero delegado de Intel Corporation. “Nuestras instalaciones de Río Rancho han funcionado con éxito en Nuevo México durante 27 años. Basándonos en estos resultados, estamos encantados de equipar a la Fab 11X para utilizar la tecnología de Intel de la próxima generación”.

La producción inicial de componentes de Intel de 45 nm se va a realizar en su fábrica de Oregón (conocida como D1D.) La compañía está construyendo en estos momentos otras dos fábricas que van a utilizar tecnología de fabricación de 45 nm. La Fab 32 – de 3.000 millones de dólares – en Chandler, Arizona, que va a comenzar su producción a finales de este año, y la Fab 28 – de 3.500 millones de dólares en Kiryat Gat, Israel, que va a iniciar su producción durante el primer semestre del año que viene.

La Fab 11X fabrica en estos momentos procesadores con tecnología de 90 nm y con obleas de 300 mm. Esta instalación comenzó su producción en octubre de 2002 y fue la primera fábrica que empleó estas obleas de 300 mm, ó 12 pulgadas, para la fabricación de componentes en grandes cantidades.