Científicos japoneses han ideado una nueva técnica para alargar el periodo de vida de los dispositivos de memoria flash, desde la década que duran ahora hasta cientos de años. La nueva tecnología ferroeléctrica flash NAND se puede reescribir 100 millones de veces (por las 10.000 actuales) y se pueden escalar hasta 10 nm, una tercera parte de la memoria flash convencional de nueva generación. Además, utilizan un sistema de “nivelación de desgaste” para compensar el uso de las celdas de memoria, capaz de desactivar celdas dañadas sin cargarse todo el chip. Y, por si fuera poco, utiliza un voltaje de reescritura de 6 voltios, por los más de 20 de los chips actuales. Sería la caña de España, pero dadas las circunstancias es el copón del Japón (hoy me siento lírico). [VNUnet]
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