La compañía ha desarrollado versiones de gran capacidad de sus memorias FeRAM (Ferroelectric RAM) que pueden enviar y recibir datos ocho veces más rápido que los prototipos anteriores.
FeRAM es un tipo de memoria relativamente nueva que combina la velocidad de los chips DRAM, que se utilizan principalmente como la memoria principal de los ordenadores, y la capacidad para retener los datos aunque se queden sin corriente, como los chips de memoria flash utilizados en los teléfonos móviles, cámaras digitales y otros gadgets. Se ha estado investigando sobre ellos durante años y ahora es cuando empieza a verse su producción a gran escala.
El nuevo chip, que se mostrará esta semana en el International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) de San Francisco, tiene una capacidad de 16MB y una velocidad de lectura y escritura de 1,6Gbps. En 2006, el prototipo de Toshiba tenía una capacidad de 4MB y alcanzaba una velocidad de transferencia de 200Mbps.
Toshiba está trabajando hacia la posible comercialización de la tecnología, aunque por el momento no tiene planes concretos para iniciar la producción en masa de los chips; además, afirma que el precio sigue siendo uno de los principales obstáculos.
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