Infineon y Micron anuncian RLDRAM II

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La próxima generación de arquitectura de memoria de elevado ancho de banda se dirige a aplicaciones de almacenamiento de datos.

Infineon Technologies y Micron Technology han anunciando una especificación diseñada para la arquitectura DRAM II (RLDRAM II) de latencia reducida. Operando a velocidades de hasta 400 MHz, los productos RLDRAM II son la segunda generación de SDRAM DDR con velocidad ultrarrápida que combina acceso aleatorio rápido con elevado ancho de banda y comunicaciones de alta densidad, junto con aplicaciones de almacenamiento de datos.

En este contexto, la arquitectura RLDRAM ha sido estudiada para cumplir los requerimientos de memoria de las aplicaciones de comunicación de elevado ancho de banda. Así, la solución eight-bank del dispositivo está optimizada para elevada velocidad y lograr un pico de ancho de banda de 28,8GB por segundo, usando una interfaz de 36 bits y un reloj de sistema de 400 MHz. Por su parte, RLDRAM II consigue una baja latencia y tiempo de ciclo aleatorio (tRC) de 20 ns, ofreciendo un mayor rendimiento de datos.

Otras ventajas adicionales incluyen terminación on-die (ODT), dirección multiplexada o no multiplexada, bucle de cierre de retardo (DLL) on-chip, I/O común o separada e impedancia de salida programable, y núcleo de 1,8 V. De hecho, estas características ofrecen a los diseñadores mayor flexibilidad en su tarea, ratio lectura y escritura, equilibrado y la eliminación de la contención de cambio de bus, así como un proceso de diseño más simplificado.

Por último, los dispositivos RLDRAM II se encuentran disponibles en un encapsulado FBGA 144-ball de 11 x 18,5 mm para posibilitar ratios de transferencia de datos de muy elevada velocidad y actualización sencilla de productos anteriores.

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