Press release

Kioxia Gana el Premio Imperial Invention Prize de la National Commendation for Invention 2020

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Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que fue galardonado con el premio Imperial Invention Prize 2020, premio a la innovación de la National Commendation for Invention por inventar un dispositivo de memoria flash 3D de alta densidad y su método de fabricación (patente n.° 5016832), que aumenta enormemente la capacidad de memoria y disminuye los costos de fabricación.

El premio fue organizado por el Instituto de Invención e Innovación del Japón y demuestra la importancia de la memoria flash para el almacenamiento de datos en aplicaciones que van desde teléfonos inteligentes hasta centros de datos. Los premios de la National Commendation for Invention reconocen inventos, ideas o diseños sobresalientes que han logrado o se espera que logren resultados sustanciales, debido a su excelencia. El premio Imperial Invention Prize es el premio de mayor categoría del programa.

Premiados (Empleado de Kioxia a menos que se indique lo contrario)

Premio Imperial Invention Prize:

  • Masaru Kito, gerente de grupo, Centro de Desarrollo de Memoria Avanzado
  • Hideaki Aochi, experto sénior, Instituto de Investigación y Desarrollo de Tecnología de Memoria
  • Ryota Katsumata, asistente del gerente general, Centro de Desarrollo de Memoria Avanzado
  • Masaru Kido, jefe especialista, División de Estrategia de Desarrollo de Memoria
  • Hiroyasu Tanaka, jefe especialista, Centro de Desarrollo de Memoria Avanzado
  • Akihiro Nitayama (ex Toshiba Corporation)

Premio Implementation Achievement Award:

Nobuo Hayasaka, presidente y director ejecutivo

La tecnología de memoria flash tridimensional de Kioxia también fue reconocida con el premio del Ministerio de Educación, Cultura, Deportes, Ciencia y Tecnología 2019 de la Local Commendation for Invention de Chubu, y recibió el premio Andrew S. Grove Award 2021 del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos (Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE) por sus contribuciones innovadoras y sostenidas a la memoria flash tridimensional de alta densidad.

La tecnología de memoria flash bidimensional convencional organiza las celdas en una estructura bidimensional donde la celda de memoria, la unidad mínima para almacenar datos, se coloca en una dirección plana. La miniaturización de las celdas de memoria aumenta la capacidad de memoria por unidad de área, lo que permite una mayor capacidad y menores costos de producción. Sin embargo, la miniaturización se acerca a sus límites físicos.

La galardonada tecnología de memoria flash tridimensional de Kioxia es un enfoque innovador que simplificó enormemente el proceso de fabricación para apilar las celdas de memoria verticalmente para generar memoria flash 3D de alta densidad. Mientras que el apilamiento convencional requería procesos repetidos de deposición y modelado para la fabricación de matrices de celdas de memoria, esta tecnología primero apila los materiales para las celdas de memoria y luego crea cada celda simultáneamente utilizando un proceso de modelado único, lo que reduce significativamente los pasos de procesamiento.

La memoria flash tridimensional de alta capacidad y alto rendimiento es ahora la tecnología líder del mercado. Después de comercializar la memoria flash tridimensional de 48 capas BiCS FLASH™ en 2015, Kioxia pasó a producir en masa versiones de 64 capas y 96 capas de muy alta densidad.

Acerca de Kioxia Group

Kioxia es un líder mundial en soluciones de memoria que se dedica al desarrollo, producción y venta de memorias flash y de unidades de estado sólido (Solid State Drives, SSD). En abril de 2017, su predecesora, Toshiba Memory, se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. La empresa es pionera en soluciones y servicios vanguardistas de memoria que enriquecen la vida de las personas y expanden los horizontes de la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos los teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades SSD de avanzada, la industria automotriz y los centros de datos.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.